黒坂鍍金工業所|めっき、アルマイトで70年の歴史

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試作・研究開発

Research Development
試作・研究開発

黒坂鍍金工業所では、お客様の要望にお応えするため、各種分析装置や各種めっき加工、表面処理の試作、研究開発用、実験室を備えており、さまざまなサービスに対応しております。

めっき加工、表面処理のことなら、何でもお気軽にご相談下さい。また、委託分析も有償でお引受け できますので何なりとご用命下さい。

最新技術開発のご紹介

半導体パッケージシールドめっき

①電磁波シールド(Cu、Ni)
②磁性材料(NiFe、FeCo)

特殊材料へのめっき開発

①PET(ポリエチレンテレフタラート)プラスチック
②Al2O3、SiO2、ZrO3、TiO2/Baなどのセラミック

特殊めっき

(ビーカーワークサイズから量産化)
①貴金属(Au、Ag、Pd、Pt、Ru、Rh)めっき
②SnAg、SnCu Bump半田めっき、インジウムめっき

研究開発(独自)

①複合皮膜形成技術(アルマイト孔成長)
②非導体めっきPd触媒⇒Ag化(特許済)
③超薄膜絶縁コーティング(5~MAX45μm)
④各種合金めっきSnNi、NiWP、NiCo

PKGシールドめっきプロセス
黒坂鍍金Bump形成(材料・構造)実例

Bumpめっき実績材料種:Cu、Ni、NiP、Sn、SnAg、SnBi、Au

Bumpめっき実績材料種:Cu、Ni、NiP、Sn、SnAg、SnBi、Au

EV車内シールド繊維として開発

PET(ポリエチレンテレフタラート)/ナイロンメッシュへのシールドめっき

PET(ポリエチレンテレフタラート)/ナイロンメッシュへのシールドめっき

超薄膜絶縁コーティング(5~MAX45μm)

高いエッジカバー性は、「絶縁膜の薄膜化」、「絶縁膜の均一化」が期待できる。カバー率は70%

研究開発の実施例
素材非導体材料上へのめっき加工

樹脂(ABS、ポリカABS、ガラスエポキシ、SiO2フィラ-エポキシ、カーボンエポキシ含浸、PEEK)

  1. 非クロム酸エッチングの開発
  2. 化学結合(非エッチング)型高密着処理の研究・開発
  3. 非パラジウム型低コスト触媒の研究・開発(特許取得済)
  4. クロムめっき代替合金めっきの開発

セラミック・ガラス(アルミナ、シリカ、ジルコニア、酸化チタン、窒化タンタル、チタン酸バリウム)

  1. 各種材料のエッチング技術開発
  2. ダイレクト金めっき技術開発
  3. ミスマッチ金属材料めっきの研究開発
素材メタル及びレアメタル材料上へのめっき加工、化成処理

鉄系(窒化鉄、浸炭、焼入れ、SUS303、304、316系や430、440系)

  1. 各種材料のエッチング技術開発
  2. ダイレクト無電解ニッケルめっき技術開発
  3. ステンレス電解発色、不動態化処理の研究

非鉄系(銅鋳物、亜鉛鋳物、アルミニウム、マグネシウム、二ッケル、銀、金)

  1. 高密着前処理法の開発
  2. ダイレクト無電解ニッケルめっき技術開発
  3. 3価クロメートの開発
  4. 完全導電性アルマイト皮膜の研究

レアメタル(チタン、タンタル、モリブデン、タングステン)

  1. 高密着前処理法の開発
  2. ダイレクトめっき法の開発
  3. 陽極酸化被膜の研究
めっき特殊機能めっき

はんだ付け端子、バンプ

  1. 大型基板やフリップチップ基板への無電解Snめっきの試作・開発
  2. シリコンウエハーへのSn-Bi、Sn-Agバンプめっきの開発
  3. アルミニウム基板(バスバー、インバータ放熱板等)への電解Snめっきの量産・試作・開発
  4. 抵抗体(NiCr)へのAuめっき端子めっきの開発

シールド特性機能

  1. 電磁波シールドめっき 半導体パッケージ、コネクタカバーなどの研究
  2. 磁気シールドめっき ニッケル鉄(NiFe)めっき、鉄コバルト(FeCo)めっき

環境対策

  1. Cr外観代替めっき皮膜(Sn-Co、Ni-Zn等)の開発
  2. Znめっき皮膜の3価クロメート皮膜の研究

エネルギー

  1. 電池材料粉黛(Ni-H、Li)へのNiめっきプロセス開発
  2. 太陽電池パネルへのSnめっきの開発
試作・研究開発設備
設備
  • Lab PhotoLab Photo
  • SEM/EDXSEM/EDX
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